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Data Sheet
4.5V Drive Nch MOSFET
RMW150N03
? Structure
Silicon N-channel MOSFET
? Dimensions (Unit : mm)
PSOP8
(8)
(7)
(6)
(5)
? Features
1) High Power package(PSOP8).
0~0.1
2) High-speed switching,Low On-resistance.
1pin mark
(1) (2)
(3)
(4)
3) Low voltage drive(4.5V drive).
1.27
5.0
0.4
0.9
0.22
? Application
Switching
? Packaging specifications
Package
Taping
? Inner circuit
Type
Code
TB
(8)
(7)
(6)
(5)
Basic ordering unit (pieces)
2500
RMW150N03
?
(1)
(2)
(3)
(4)
Source
Source
Source
Gate
? 2
? Absolute maximum ratings (Ta = 25 ? C)
(5)
(6)
Drain
Drain
? 1
Parameter
Symbol
Limits
Unit
(7)
(8)
Drain
Drain
(1)
(2)
(3)
(4)
Drain-source voltage
Gate-source voltage
V DSS
V GSS
30
? 20
V
V
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
Drain current
Source current
Continuous
Pulsed
Continuous
I D
I DP *1
I S
? 15
? 60
2.5
A
A
A
(Body Diode)
Power dissipation
Pulsed
I SP
P D
*1
*2
60
3.0
A
W
Channel temperature
Range of storage temperature
Tch
Tstg
150
? 55 to ? 150
? C
? C
*1 Pw ? 10 ? s, Duty cycle ? 1%
*2 MOUNTED ON 40mm × 40mm Cu BOARD
? Thermal resistance
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Channel to Ambient
Rth
(ch-a) *
41.7
? C / W
*2 MOUNTED ON 40mm × 40mm Cu BOARD
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.03 - Rev.A
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